- 产品型号 IPBE65R230CFD7AATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:3921
技术细节
- 包装/箱 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 230mOhm @ 5.2A, 10V
- 功耗(最大) 63W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4.5V @ 260µA
- 供应商设备包 PG-TO263-7-3-10
- 年级 Automotive
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 23 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1044 pF @ 400 V
- 资质 AEC-Q101