- 产品型号 SISS52DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:6470
技术细节
- 包装/箱 PowerPAK® 1212-8SH
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 47.1A (Ta), 162A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
- 功耗(最大) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 2.2V @ 250µA
- 供应商设备包 PowerPAK® 1212-8SH
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V
- Vgs(最大) +16V, -12V
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 65 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 2950 pF @ 15 V