技术细节

• 包装/箱 DirectFET™ Isometric MD
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 38A (Ta), 211A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 0.75mOhm @ 50A, 10V
• 功耗（最大） 2.1W (Ta), 63W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 1.1V @ 100µA
• 供应商设备包 DIRECTFET™ MD
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5V, 4.5V
• Vgs（最大） ±12V
• 漏源电压 (Vdss) 20 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 158 nC @ 4.5 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 8292 pF @ 10 V