库存:1676

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 246pF @ 400V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 109A
  • 供应商设备包 TO-247-3
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 1200 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.8 V @ 50 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 200 µA @ 1200 V

相关产品


DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2

库存: 250

DIODE SIL CARB 1.7KV 122A TO247

库存: 145

DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247

库存: 719

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

库存: 46

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247

库存: 1231

DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO220

库存: 80

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

库存: 87

DIODE SIC 1.2KV 109A TO247-3

库存: 15

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

库存: 9970

DIODE SIC 1.2KV 128A TO247AC

库存: 824

Top