- 产品型号 NTH4L160N120SC1
- 品牌 Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- 描述 SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
技术细节
- 包装/箱 TO-247-4
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 17.3A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 224mOhm @ 12A, 20V
- 功耗（最大） 111W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.3V @ 2.5mA
- 供应商设备包 TO-247-4L
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- Vgs（最大） +25V, -15V
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 34 nC @ 20 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 665 pF @ 800 V
相关产品
DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2
库存: 447
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
库存: 232
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
库存: 339
SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
库存: 628
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
库存: 759
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
库存: 313
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
库存: 510
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
库存: 427
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
库存: 403
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
库存: 286
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
库存: 433
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
库存: 413
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
库存: 738
