技术细节

• 包装/箱 3-SSIP
• 安装类型 Through Hole
• 晶体管类型 PNP
• 工作温度 150°C (TJ)
• Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic 500mV @ 60mA, 300mA
• 电流 - 集电极截止（最大） 10µA (ICBO)
• 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce 30 @ 100mA, 5V
• 频率-转变 28MHz
• 集电极电流 (Ic)（最大） 1 A
• 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600 V
• 功率 - 最大 1 W