技术细节

• 包装/箱 3-SSIP
• 安装类型 Through Hole
• 晶体管类型 NPN
• 工作温度 150°C (TJ)
• Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic 1.5V @ 5mA, 50mA
• 电流 - 集电极截止（最大） 100nA (ICBO)
• 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce 60 @ 10mA, 10V
• 频率-转变 50MHz
• 集电极电流 (Ic)（最大） 200 mA
• 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 300 V
• 功率 - 最大 1 W