技术细节

• 包装/箱 TO-220-3
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 175°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A
• Rds On（最大）@Id、Vgs 120mOhm @ 10A, 5V
• 场效应管特性 Logic Level Gate, 4V Drive
• 功耗（最大） 105W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
• 供应商设备包 TO-220
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
• Vgs（最大） ±15V
• 漏源电压 (Vdss) 100 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 30 nC @ 5 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1500 pF @ 25 V