技术细节
- 包装/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- 安装类型 Through Hole
- 晶体管类型 NPN
- 工作温度 200°C (TJ)
- Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic 500mV @ 50mA, 500mA
- 电流 - 集电极截止（最大） 10nA (ICBO)
- 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce 100 @ 150mA, 10V
- 频率-转变 100MHz
- 供应商设备包 TO-39
- 集电极电流 (Ic)（最大） 1 A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 80 V
- 功率 - 最大 800 mW
相关产品
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
库存: 0
SMALL SGNL DIODE DO35 100V 175C
库存: 117662
DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35
库存: 13277
DIODE DO-35 100V 0.2A 4NS
库存: 13960
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
库存: 388000
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
库存: 272
DIODE, SWITCHING, 150MA, 75V, DO
库存: 8653
DO-35, 100V, 0.15A, SWITCHING DI
库存: 0
DIODE
库存: 0
TRANS NPN 40V 0.8A TO18
库存: 0
TRANS NPN 50V 0.8A TO18
库存: 0
BJT TO92 40V NPN 0.625W 150C
库存: 0
BJT TO-92 40V 600MA
库存: 0
TRANSISTOR, NPN, 0.8A, 40V, TO-1
库存: 4832
TRANS NPN EBC 0.6A 75V TO-92
库存: 5400
TRANS NPN 80V 1A TO39
库存: 0
TRANS NPN 80V 1A TO5
库存: 603
TRANS NPN 80V 1A TO39
库存: 3730
TRANS NPN 80V 1A TO39
库存: 0
TRANS NPN 80V 1A TO39
库存: 100
