技术细节

• 包装/箱 TO-220-3
• 安装类型 Through Hole
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 21A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 85mOhm @ 13A, 10V
• Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 1mA
• 供应商设备包 TO-220AB
• 漏源电压 (Vdss) 100 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1300 pF @ 25 V