库存:2528

技术细节

  • 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 安装类型 Surface Mount
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 40A
  • 供应商设备包 PG-TO263-2-1
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 1200 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.95 V @ 16 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 80 µA @ 1200 V

相关产品


DIODE SIL CARB 1.2KV 32A D2PAK

库存: 2407

DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2

库存: 2646

DIODE SIC 1.2KV 11.8A TO263-1

库存: 788

DIODE SIC 1.2KV 19.1A TO263-1

库存: 955

DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1

库存: 509

DIODE SIC 1.2KV 31.9A TO263-1

库存: 0

DIODE SIL CARB 1.2KV 56A TO263-1

库存: 0

DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2

库存: 218

DIODE GEN PURP 1.2KV 35A D2PAK

库存: 4435

Top