技术细节

• 包装/箱 TO-247-4
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 59A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 34mOhm @ 38.3A, 18V
• 功耗（最大） 189W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 5.7V @ 11mA
• 供应商设备包 PG-TO247-4-3
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 18V
• Vgs（最大） +23V, -5V
• 漏源电压 (Vdss) 650 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 63 nC @ 18 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2131 pF @ 400 V