- 产品型号 IPN60R2K0PFD7SATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
- 分类 单 FET、MOSFET
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技术细节
- 包装/箱 TO-261-3
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V
- 功耗（最大） 6W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 30µA
- 供应商设备包 PG-SOT223-3-1
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 3.8 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 134 pF @ 400 V
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