库存:17286

技术细节

  • 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安装类型 Surface Mount
  • 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 190pF @ 0V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 5A
  • 供应商设备包 DPAK
  • 工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 1200 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.5 V @ 2 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 12 µA @ 1200 V

相关产品


DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

库存: 214662

MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6

库存: 17772

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

库存: 8523

MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23

库存: 77952

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 8A DPAK

库存: 1367

DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK

库存: 7715

IC REG LIN 5V 1A 8SON

库存: 3778

IC REG CTRLR FULL-BRIDGE 24TSSOP

库存: 6554

Top