库存:8272

技术细节

  • 包装/箱 TO-261-4, TO-261AA
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 260mOhm @ 1.2A, 10V
  • 功耗(最大) 3.3W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
  • 供应商设备包 SOT-223
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
  • Vgs(最大) ±20V
  • 漏源电压 (Vdss) 100 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 14 nC @ 10 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 280 pF @ 25 V

相关产品


MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

库存: 314112

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4

库存: 7826

MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223

库存: 94612

DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO204AL

库存: 16861

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4

库存: 0

IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC

库存: 7846

IC MCU 8BIT 28KB FLASH 44TQFP

库存: 17358

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

库存: 8954

DIODE SCHOTTKY 200V 4A SMC

库存: 25489

IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48LQFP

库存: 25913

Top