库存:1745

技术细节

  • 包装/箱 TO-220-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 421pF @ 1V, 100kHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 10A
  • 供应商设备包 TO-220-3
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 年级 Automotive
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 650 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.7 V @ 10 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 40 µA @ 650 V
  • 资质 AEC-Q101

相关产品


DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO214AC

库存: 9830

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM

库存: 215

DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2

库存: 1151

Top