- 产品型号 SISS61DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- 描述 MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:8853
技术细节
- 包装/箱 PowerPAK® 1212-8S
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
- 功耗(最大) 5W (Ta), 65.8W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 900mV @ 250µA
- 供应商设备包 PowerPAK® 1212-8S
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 1.8V, 4.5V
- Vgs(最大) ±8V
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 231 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 8740 pF @ 10 V