库存:1500

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-2
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 34A
  • 供应商设备包 PG-TO247-2
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 1200 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.65 V @ 10 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 80 µA @ 1200 V

相关产品


SICFET N-CH 650V 37A TO247-3

库存: 743

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

库存: 400

DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2

库存: 180

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

库存: 2424

DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247-2

库存: 228

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

库存: 120

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

库存: 286

SIC MOS TO247-3L 650V

库存: 515

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

库存: 15

DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3

库存: 402

Top